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逐鹿国内SSD市场 三星亮出3D V-NAND尚方宝剑
发布时间:2017-08-31 13:49:20 来源:ODCC 作者:ODCC 点击:104次

827日消息,本月9日,三星宣布研发出容量达1Tbterabit)的3D V-NAND芯片。据悉,此次研发的V-NAND 芯片(即垂直堆叠的3D V-NAND)的容量是当前最大存储器512Gb (gigabit) 的两倍。

三星电子于2013年在全球率先实现V-NAND(第一代,24)量产,今年已实现第四代V-NAND的量产引领创新。近日,西安三星电子研究所存储事业部技术总监李珺珂在接受采访时表示,现在市场上3D V-NAND的堆叠层数已经达到比较高的程度,并且3D V-NAND技术已经成为市场主流。三星的3D V-NAND技术是事实上的行业标杆,现在主流的产品是第三代V-NAND,第四代产品也即将推出,同时三星先进的技术也确保了在V-NAND技术上可以持续创新。

三星会继续推动在V-NAND方面的技术创新,增加堆叠的层数。比如我们的第三代有48层,第四代将实现64层堆叠,第五代目标是90层以上。其他厂商也在跟进推出3D V-NAND,但实现稳定量产并非是容易的事情。三星已经在3D V-NAND的开发生产上积累了很多的经验,并且已经准备好推出新的技术,除了刚提到的增加纵向堆叠层数(Multi-stacking)以外,还包括缩小横向尺寸(Lateral Shrink),以及COPCell Over Peripheral)将单元层构建在外围支持CMOS之上的技术。

当下,基于闪存的存储产品性能发展日益迅速,高性能的SSD存取速度达到甚至超过了传输总线的速度。对以大数据和云计算为典型应用的数据中心的系统结构造成了很大影响,如何让数据更具价值变得越来越重要。数据的价值和Metcalfe定律定义的网络的价值非常相似,数据的价值是用Size, SpeedScale的能力来衡量。李珺珂指出,SSD可以通过High capacity, low latencyNew interface来影响数据中心的架构,而三星针对这些需求也准备了相应的解决方案比如128TB大容量SSD,超低延迟的Z-SSD和具备new interface功能的Key-Value SSD.

云计算、大数据盛行的当下,最不能忽略的就是人工智能,三星半导体作为全球DRAMNAND行业领导者,同样也非常关注AI的发展。据透露,为了应对人工智能的到来,三星针对AI /ML 应用推出了一种特殊的DRAM,叫做HBM(High Bandwidth Memory)HBM针对大数据计算特别优化了存取带宽,速度可以达到2Gbps。现在HBM产品已经在各种需要AI/ML的应用中广泛应用(数据中心,智能汽车等等)

谈及三星SSD在国内外的地位,李珺珂表示,除了中国以外,三星SSD在服务器行业已经占据了全球70%SSD市场份额。这意味着三星SSD已经通过全球IT公司的认可比如谷歌,亚马逊,IBM,惠普等。

三星SSD已连续两年获得ODCC“最佳固态硬盘大奖,我们希望可以借助ODCC这个平台,让更多的用户认识我们的好产品。坦率地说,三星SSD相比其他厂商有更稳定的性能,希望更多的中国公司了解我们的SSD的性能和可靠性。

若想在国内站稳脚跟,获得更大的份额,便不可避免要谈及三星的SSD和竞争对手的SSD之间的区别和优势。李珺珂说,目前SSD市场持续火爆,不断有老牌厂家和新兴的厂家推出新产品上市。在众多的SSD生产厂家之中,三星SSD是唯一一家具有全套的解决方案的供应商,包括从NAND闪存颗粒,到SSD控制器,到SSD固件甚至SSDPCB设计和最后的组装生产。这样全产业链的整合能力可以最大化我们产品的性能和稳定。

据了解,近两年来西安三星电子研究所对于ODCC的存储标准制定贡献了很多力量,与其他国内厂商共同合作引领了国内数据中心存储产业测试标准的制定和推广。对此,三星表示,今后会继续与ODCC紧密合作,大力支持ODCC的中国SSD标准化活动,将ODCC制定的各种规范和标准化结果推广给国内广大的SSD用户。

同时,我们将介绍更多新技术比如HBMDDR5Z-SSD, Key-Value SSD给国内的客户,并且计划加强和BAT以及国内众多服务器厂商之间的合作,让客户更好的了解三星内存和SSD产品的优势

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